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NXP A5M35TG140-TCT1 技術(shù)參數(shù)

更新時(shí)間:2024-07-02   點(diǎn)擊次數(shù):318次

A5M36TG140是一款 集成的多爾蒂功率放大器模塊,專(zhuān)為無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計(jì),這些應(yīng)用要求以最小的占地面積獲得高性能。非常適合大規(guī)模MIMO系統(tǒng)、戶(hù)外小型蜂窩和低功率遠(yuǎn)程無(wú)線(xiàn)電頭的應(yīng)用。經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的LDMOS和GaN on SiC功率放大器是為T(mén)DD LTE和5G系統(tǒng)設(shè)計(jì)的。特征
2級(jí)模塊解決方案,包括作為驅(qū)動(dòng)器的LDMOS集成電路和GaN末級(jí)放大器
先進(jìn)的高性能封裝內(nèi)Doherty
匹配(50歐姆輸入/輸出,直流阻塞)
專(zhuān)為低復(fù)雜度數(shù)字線(xiàn)性化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
減少記憶效應(yīng),改善線(xiàn)性化誤差矢量幅度
符合RoHS
零件號(hào)包括:A5M36TG140。
恩智浦60多年來(lái)一直是射頻創(chuàng)新和技術(shù)領(lǐng)域的,為蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用提供了廣泛的射頻解決方案組合,從毫瓦到千瓦,包括SiC上的GaN、LDMOS和SiGe技術(shù)產(chǎn)品。
5G射頻基礎(chǔ)設(shè)施
適用于各種網(wǎng)絡(luò)和架構(gòu)的端到端解決方案,提供GaN、LDMOS和SiGe分立晶體管、IC和多芯片模塊的完整陣容。這些解決方案包括所有低于6 GHz和毫米波的頻帶,支持所有蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。

宏遠(yuǎn)程無(wú)線(xiàn)電頭
大功率Aircast離散解決方案,專(zhuān)為20至80W無(wú)線(xiàn)電設(shè)計(jì)。

有源天線(xiàn)系統(tǒng)
適用于5至10W無(wú)線(xiàn)電和宏驅(qū)動(dòng)器的多芯片模塊、IC、LNA和離散mMIMO解決方案。

用于5G基礎(chǔ)設(shè)施的射頻高功率GaN解決方案
恩智浦新的RF功率宏GaN晶體管系列專(zhuān)為針對(duì)4T4R和8T8R基礎(chǔ)設(shè)施的40W至80W無(wú)線(xiàn)電單元而設(shè)計(jì)


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